IPI120N06S402AKSA2
工場モデル | IPI120N06S402AKSA2 |
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メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 |
パッケージ | PG-TO262-3-1 |
株式 | 41627 pcs |
データシート | IPx120N06S4-02Part Number GuideMult Device EOL 31/Aug/2017Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019Mult Dev Retraction 15/Nov/2018 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
500 |
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$0.881 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 140µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3-1 |
シリーズ | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.8mOhm @ 100A, 10V |
電力消費(最大) | 188W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 15750 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 195 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 120A (Tc) |
基本製品番号 | IPI120 |
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