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Infineon Technologies

BSB280N15NZ3G

工場モデル BSB280N15NZ3G
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 BSB280N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
パッケージ MG-WDSON-2-5
株式 4293 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4293のInfineon Technologies BSB280N15NZ3Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 60µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ MG-WDSON-2-5
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 28mOhm @ 30A, 10V
電力消費（最大） 2.8W (Ta), 57W (Tc)
パッケージ/ケース DirectFET™ Isometric MX
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1600 pF @ 75 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 21 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 150 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9A (Ta), 30A (Tc)

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