Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > BSB015N04NX3GXUMA1
Infineon Technologies

BSB015N04NX3GXUMA1

工場モデル BSB015N04NX3GXUMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
パッケージ MG-WDSON-2, CanPAK M™
株式 5006 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Multiple Devices 12/May/2009Mult Dev EOL 14/Dec/2020
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5006のInfineon Technologies BSB015N04NX3GXUMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ MG-WDSON-2, CanPAK M™
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.5mOhm @ 30A, 10V
電力消費（最大） 2.8W (Ta), 89W (Tc)
パッケージ/ケース 3-WDSON
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 12000 pF @ 20 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 142 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 36A (Ta), 180A (Tc)

おすすめ商品

BSB015N04NX3GXUMA1 データテーブルPDF

データシート

BSB015N04NX3GXUMA1に関連した語彙

BSB015N04NX3GXUMA1関連コンポーネント