BSB165N15NZ3GXUMA1
| 工場モデル | BSB165N15NZ3GXUMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON |
| パッケージ | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| 株式 | 61191 pcs |
| データシート | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev A/T Add 31/Jan/2023 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.361 | $1.221 | $1.001 | $0.852 | $0.718 | $0.682 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 110µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 16.5mOhm @ 30A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 3-WDSON |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2800 pF @ 75 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 8V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Ta), 45A (Tc) |
| 基本製品番号 | BSB165 |
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