BSB104N08NP3GXUSA1
工場モデル | BSB104N08NP3GXUSA1 |
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メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 80V 13A/50A 2WDSON |
パッケージ | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
株式 | 140117 pcs |
データシート | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Site Add 30/Dec/2020 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
5000 | 10000 |
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$0.252 | $0.243 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 40µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
シリーズ | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 10.4mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大) | 2.8W (Ta), 42W (Tc) |
パッケージ/ケース | 3-WDSON |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2100 pF @ 40 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 31 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 13A (Ta), 50A (Tc) |
基本製品番号 | BSB104 |
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