NTMFD0D9N02P1E
| 工場モデル | NTMFD0D9N02P1E |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP |
| パッケージ | 8-PQFN (5x6) |
| 株式 | 5945 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 340µA, 2V @ 1mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V |
| 電力 - 最大 | 960mW (Ta), 1.04W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET特長 | Standard |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V, 25V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Ta), 30A (Ta) |
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