NTMD6P02R2G
| 工場モデル | NTMD6P02R2G |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC |
| パッケージ | 8-SOIC |
| 株式 | 205995 pcs |
| データシート | Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018NTMD6P02R2NTMD6P02R2onsemi REACHonsemi RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.495 | $0.441 | $0.344 | $0.284 | $0.224 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 33mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 750mW |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1700pF @ 16V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.8A |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | NTMD6 |
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