NTMFD4C86NT1G
| 工場モデル | NTMFD4C86NT1G |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN |
| パッケージ | 8-DFN (5x6) |
| 株式 | 5769 pcs |
| データシート | NTMFD4C86N3Q Mult Dev EOL 9/Nov/2017onsemi RoHSNTMF/NTTF 27/Jan/2017 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN (5x6) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.4mOhm @ 30A, 10V |
| 電力 - 最大 | 1.1W |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1153pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22.2nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.3A, 18.1A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| 基本製品番号 | NTMFD4 |
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