NTMD6N04R2G
工場モデル | NTMD6N04R2G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC |
パッケージ | 8-SOIC |
株式 | 5514 pcs |
データシート | NTMD6N04R2Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008Multiple Devices 27/Jun/2014Multiple Devices Update 28/Jun/2011onsemi REACHonsemi RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 34mOhm @ 5.8A, 10V |
電力 - 最大 | 1.29W |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 900pF @ 32V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 30nC @ 10V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.6A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | NTMD6 |
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