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NTMD2P01R2

工場モデル NTMD2P01R2
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
パッケージ 8-SOIC
株式 5118 pcs
データシート Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008Multiple Devices 30/Jun/2006onsemi REACHonsemi RoHSNTMD2P01R2
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5118のonsemi NTMD2P01R2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1.5V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
電力 - 最大 710mW
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 750pF @ 16V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 18nC @ 4.5V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン 16V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.3A
コンフィギュレーション 2 P-Channel (Dual)
基本製品番号 NTMD2P

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NTMD2P01R2 データテーブルPDF

データシート