Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > NTH4L075N065SC1
onsemi

NTH4L075N065SC1

工場モデル NTH4L075N065SC1
メーカー onsemi
詳細な説明 SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5
パッケージ TO-247-4L
株式 14826 pcs
データシート NTH4L075N065SC1
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$4.875 $4.405 $3.647 $3.175 $2.766
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。14826のonsemi NTH4L075N065SC1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.3V @ 5mA
Vgs（最大） +22V, -8V
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4L
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 85mOhm @ 15A, 18V
電力消費（最大） 148W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-4
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1196 pF @ 325 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 61 nC @ 18 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V, 18V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 38A (Tc)
基本製品番号 NTH4L075

おすすめ商品

NTH4L075N065SC1 データテーブルPDF

データシート

NTH4L075N065SC1に関連した語彙

NTH4L075N065SC1関連コンポーネント