NTH4L020N120SC1
工場モデル | NTH4L020N120SC1 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | SICFET N-CH 1200V 102A TO247 |
パッケージ | TO-247-4L |
株式 | 3230 pcs |
データシート | Dimension/Color Change 24/Feb/2021onsemi REACHonsemi RoHSPacking quantity increase 28/Dec/2020NTH4L020N120SC1 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 |
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$16.795 | $15.671 | $13.606 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3230のonsemi NTH4L020N120SC1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 4.3V @ 20mA |
Vgs(最大) | +25V, -15V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4L |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 28mOhm @ 60A, 20V |
電力消費(最大) | 510W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-4 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2943 pF @ 800 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 220 nC @ 20 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 20V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 102A (Tc) |
基本製品番号 | NTH4L020 |
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