NTH4L060N065SC1
工場モデル | NTH4L060N065SC1 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | SIC MOS TO247-4L 650V |
パッケージ | TO-247-4L |
株式 | 14025 pcs |
データシート | NTH4L060N065SC1 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$5.196 | $4.774 | $4.032 | $3.587 | $3.29 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.3V @ 6.5mA |
Vgs(最大) | +22V, -8V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4L |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 70mOhm @ 20A, 18V |
電力消費(最大) | 176W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-4 |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1473 pF @ 325 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 74 nC @ 18 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 15V, 18V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 47A (Tc) |
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