NTH4L040N120M3S
| 工場モデル | NTH4L040N120M3S |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI |
| パッケージ | TO-247-4L |
| 株式 | 12471 pcs |
| データシート | NTH4L040N120M3S |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $5.524 | $5.078 | $4.289 | $3.815 | $3.499 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.4V @ 10mA |
| Vgs（最大） | +22V, -10V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4L |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 54mOhm @ 20A, 18V |
| 電力消費（最大） | 231W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-4 |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1700 pF @ 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 75 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 54A (Tc) |
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