Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > NTBGS1D5N06C
NTBGS1D5N06C Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

NTBGS1D5N06C

工場モデル NTBGS1D5N06C
メーカー onsemi
詳細な説明 POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
パッケージ D2PAK (TO-263)
株式 21825 pcs
データシート onsemi REACHonsemi RoHSNTBGS1D5N06C
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100
$2.297 $2.062 $1.69
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。21825のonsemi NTBGS1D5N06Cの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 318µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK (TO-263)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.55mOhm @ 64A, 12V
電力消費（最大） 3.7W (Ta), 211W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6250 pF @ 30 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 78.6 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V, 12V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 35A (Ta), 267A (Tc)

おすすめ商品

NTBGS1D5N06C データテーブルPDF

データシート

NTBGS1D5N06Cに関連した語彙

NTBGS1D5N06C関連コンポーネント