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NTBGS001N06C

工場モデル NTBGS001N06C
メーカー onsemi
詳細な説明 POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342
パッケージ D2PAK (TO-263)
株式 11197 pcs
データシート onsemi REACHonsemi RoHSNTBGS001N06C
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100
$5.065 $4.655 $3.931
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。11197のonsemi NTBGS001N06Cの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 562µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK (TO-263)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.1mOhm @ 112A, 12V
電力消費（最大） 3.7W (Ta), 245W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 11110 pF @ 30 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 139 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V, 12V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 42A (Ta), 342A (Tc)

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