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NTB90N02T4G

工場モデル NTB90N02T4G
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
パッケージ D²PAK
株式 3896 pcs
データシート Multiple Devices 14/Apr/2010onsemi REACHonsemi RoHSMult Dev Material Chg 2/Oct/2018NTB,NTP90N02
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3896のonsemi NTB90N02T4Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5.8mOhm @ 90A, 10V
電力消費（最大） 85W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2120 pF @ 20 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 29 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 24 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 90A (Ta)
基本製品番号 NTB90

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