NTBG022N120M3S
工場モデル | NTBG022N120M3S |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE |
パッケージ | D2PAK-7 |
株式 | 3741 pcs |
データシート | NTBG022N120M3S |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 |
---|---|---|
$11.498 | $10.604 | $9.055 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3741のonsemi NTBG022N120M3Sの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.4V @ 20mA |
Vgs(最大) | +22V, -10V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK-7 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 30mOhm @ 40A, 18V |
電力消費(最大) | 234W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3200 pF @ 800 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20 nC @ 18 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 18V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 58A (Tc) |
基本製品番号 | NTBG022 |
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