FQT7N10TF
工場モデル | FQT7N10TF |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 |
パッケージ | SOT-223-4 |
株式 | 129812 pcs |
データシート | Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 30/Jun/2022onsemi RoHSFQT7N10Mult Dev Site Add 14/Oct/2020 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 |
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$0.266 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±25V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223-4 |
シリーズ | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 350mOhm @ 850mA, 10V |
電力消費(最大) | 2W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 250 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.7A (Tc) |
基本製品番号 | FQT7N10 |
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