FQT1N80TF-WS
| 工場モデル | FQT1N80TF-WS |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3 |
| パッケージ | SOT-223-3 |
| 株式 | 329009 pcs |
| データシート | Mult Device Part Number Chg 30/May/2017Wafer Fab Change 27/Dec/2022Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSFQT1N80TF_WS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.376 | $0.331 | $0.254 | $0.2 | $0.16 | $0.145 |
納期
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RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223-3 |
| シリーズ | QFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20Ohm @ 100mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.1W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-261-3 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 195 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.2 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA (Tc) |
| 基本製品番号 | FQT1N80 |
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