FQT3P20TF-SB82100
工場モデル | FQT3P20TF-SB82100 |
---|---|
メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4 |
パッケージ | SOT-223-4 |
株式 | 6046 pcs |
データシート | FQT3P20MA04A Pkg Drawing |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223-4 |
シリーズ | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.7 Ohm @ 335mA, 10V |
電力消費(最大) | 2.5W (Tc) |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
他の名前 | FQT3P20TF-SB82100CT FQT3P20TF_SB82100CT FQT3P20TF_SB82100CT-ND |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 250pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 8nC @ 10V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200V |
詳細な説明 | P-Channel 200V 670mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 670mA (Tc) |
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