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FQT3P20TF-SB82100 Image
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製品の詳細仕様を参照してください。

FQT3P20TF-SB82100

工場モデル FQT3P20TF-SB82100
メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
詳細な説明 MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4
パッケージ SOT-223-4
株式 6046 pcs
データシート FQT3P20MA04A Pkg Drawing
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのAMI Semiconductor / ON Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6046のAMI Semiconductor / ON Semiconductor FQT3P20TF-SB82100の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223-4
シリーズ QFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 2.7 Ohm @ 335mA, 10V
電力消費(最大) 2.5W (Tc)
パッケージング Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
他の名前 FQT3P20TF-SB82100CT
FQT3P20TF_SB82100CT
FQT3P20TF_SB82100CT-ND
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 250pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 8nC @ 10V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 200V
詳細な説明 P-Channel 200V 670mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 670mA (Tc)

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データシート