FQT1N60CTF-WS
工場モデル | FQT1N60CTF-WS |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4 |
パッケージ | SOT-223-4 |
株式 | 393639 pcs |
データシート | Mult Device Part Number Chg 30/May/2017Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSWafer Fab 28/Jul/2021FQT1N60CTF-WS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
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$0.29 | $0.254 | $0.195 | $0.154 | $0.123 | $0.112 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223-4 |
シリーズ | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 11.5Ohm @ 100mA, 10V |
電力消費(最大) | 2.1W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 170 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 200mA (Tc) |
基本製品番号 | FQT1N60 |
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