SQJ264EP-T1_GE3
工場モデル | SQJ264EP-T1_GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 60 V ( |
パッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
株式 | 125622 pcs |
データシート | SQJ264EP |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.61 | $0.547 | $0.439 | $0.361 | $0.299 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V |
電力 - 最大 | 27W (Tc), 48W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 16nC @ 10V, 32nC @ 10V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Tc), 54A (Tc) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
基本製品番号 | SQJ264 |
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