SQJ211ELP-T1_GE3
工場モデル | SQJ211ELP-T1_GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8 |
パッケージ | PowerPAK® SO-8 |
株式 | 136742 pcs |
データシート | SQJ211ELP |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.6 | $0.536 | $0.418 | $0.345 | $0.272 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 30mOhm @ 8A, 10V |
電力消費(最大) | 68W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3800 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 68 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 33.6A (Tc) |
基本製品番号 | SQJ211 |
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