SQJ204EP-T1_GE3
工場モデル | SQJ204EP-T1_GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L |
パッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
株式 | 142617 pcs |
データシート | SQJ204EP |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.566 | $0.506 | $0.394 | $0.326 | $0.257 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V |
電力 - 最大 | 27W (Tc), 48W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20nC @ 10V, 50nC @ 10V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Tc), 60A (Tc) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
基本製品番号 | SQJ204 |
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