SIRS5100DP-T1-GE3
工場モデル | SIRS5100DP-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW |
パッケージ | PowerPAK® SO-8 |
株式 | 47399 pcs |
データシート | SIRS5100DP |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$1.315 | $1.182 | $0.968 | $0.824 | $0.695 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.5mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 7.4W (Ta), 240W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5400 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 102 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 7.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 39A (Ta), 225A (Tc) |
基本製品番号 | SIRS5100 |
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