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Vishay Siliconix

SIRC18DP-T1-GE3

工場モデル SIRC18DP-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
パッケージ PowerPAK® SO-8
株式 192254 pcs
データシート New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SIRC18DP
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.495 $0.441 $0.344 $0.284 $0.224
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。192254のVishay Siliconix SIRC18DP-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.4V @ 250µA
Vgs（最大） +20V, -16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
シリーズ TrenchFET® Gen IV
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.1mOhm @ 15A, 10V
電力消費（最大） 54.3W (Tc)
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5060 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 111 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 Schottky Diode (Body)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 60A (Tc)
基本製品番号 SIRC18

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