SIRS4302DP-T1-GE3
| 工場モデル | SIRS4302DP-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE |
| パッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| 株式 | 68756 pcs |
| データシート | SIRS4302DP |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $1.042 | $0.937 | $0.753 | $0.619 | $0.513 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。68756のVishay Siliconix SIRS4302DP-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
RFQメール：info@Components-House.net
規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA |
| Vgs（最大） | +20V, -16V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 0.57mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 6.9W (Ta), 208W (Tc) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10150 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 230 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 87A (Ta), 478A (Tc) |
| 基本製品番号 | SIRS4302 |
おすすめ商品
-
SIRA90DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRA96DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRC10DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRETTA DIN RAIL ADAPTER
DIN RAIL MOUNT CLIP, LATCH & SCRSiretta Ltd -
SIRA90DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRC04DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRS4301DP-T1-GE3
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIRC16DP-T1-RE3
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SCVishay Siliconix -
SIRS5800DP-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIRS4401DP-T1-GE3
P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIRS700DP-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SIRAD EASY R4 BREAKOUT-BOARD
SIRAD_EASY_R4_BREAKOUT-BOARD (BOSilicon Radar GmbH -
SIRC06DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 32A/60A PPAK SO8Vishay Siliconix -
SIRC18DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRS700DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SIRC16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRB40DP-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8Vishay Siliconix -
SIRA90ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 71A/334A PPAKVishay Siliconix -
SIRA99DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAKVishay Siliconix -
SIRS5100DP-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix