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Vishay Siliconix

SIR182LDP-T1-RE3

工場モデル SIR182LDP-T1-RE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
パッケージ PowerPAK® SO-8
株式 121499 pcs
データシート New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SIR182LDP
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.76 $0.684 $0.55 $0.452 $0.374
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。121499のVishay Siliconix SIR182LDP-T1-RE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.4V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
シリーズ TrenchFET® Gen IV
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 2.75mOhm @ 15A, 10V
電力消費(最大) 5W (Ta), 83W (Tc)
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3700 pF @ 30 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 84 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 31.7A (Ta), 130A (Tc)

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SIR182LDP-T1-RE3 データテーブルPDF

データシート