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Vishay Siliconix

SIR122LDP-T1-RE3

工場モデル SIR122LDP-T1-RE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
パッケージ PowerPAK® SO-8
株式 214642 pcs
データシート New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.454 $0.406 $0.317 $0.262 $0.207
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。214642のVishay Siliconix SIR122LDP-T1-RE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
シリーズ TrenchFET® Gen IV
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 7.35mOhm @ 15A, 10V
電力消費(最大) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2380 pF @ 40 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 52 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 80 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 17.2A (Ta), 62.3A (Tc)

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SIR122LDP-T1-RE3 データテーブルPDF

データシート