SIR122LDP-T1-RE3
工場モデル | SIR122LDP-T1-RE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE |
パッケージ | PowerPAK® SO-8 |
株式 | 214642 pcs |
データシート | New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
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$0.454 | $0.406 | $0.317 | $0.262 | $0.207 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。214642のVishay Siliconix SIR122LDP-T1-RE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7.35mOhm @ 15A, 10V |
電力消費(最大) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2380 pF @ 40 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 52 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 17.2A (Ta), 62.3A (Tc) |
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