Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SIR167DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR167DP-T1-GE3

工場モデル SIR167DP-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
パッケージ PowerPAK® SO-8
株式 213924 pcs
データシート New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SIR167DP Datasheet
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.396 $0.355 $0.276 $0.228 $0.18
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。213924のVishay Siliconix SIR167DP-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
シリーズ TrenchFET® Gen III
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5.5mOhm @ 15A, 10V
電力消費（最大） 65.8W (Tc)
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4380 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 111 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 60A (Tc)
基本製品番号 SIR167

おすすめ商品

SIR167DP-T1-GE3 データテーブルPDF

データシート

SIR167DP-T1-GE3に関連した語彙

SIR167DP-T1-GE3関連コンポーネント