SIHP11N80AE-GE3
| 工場モデル | SIHP11N80AE-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB |
| パッケージ | TO-220AB |
| 株式 | 109692 pcs |
| データシート | SIHP11N80AE |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.803 | $0.72 | $0.579 | $0.475 | $0.394 | $0.367 | $0.353 | $0.344 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| シリーズ | E |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 450mOhm @ 5.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 78W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 804 pF @ 100 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) |
| 基本製品番号 | SIHP11 |
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