SIHK155N60E-T1-GE3
工場モデル | SIHK155N60E-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 |
パッケージ | PowerPAK®10 x 12 |
株式 | 45619 pcs |
データシート | SIHK155N60E |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$1.858 | $1.669 | $1.367 | $1.164 | $0.981 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。45619のVishay Siliconix SIHK155N60E-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK®10 x 12 |
シリーズ | E |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 155mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大) | 156W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerBSFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1514 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 36 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 19A (Tc) |
基本製品番号 | SIHK155 |
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