SIHL620S-GE3
工場モデル | SIHL620S-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V |
パッケージ | D²PAK (TO-263) |
株式 | 321054 pcs |
データシート | IRL620S, SiHL620S |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
$0.319 | $0.285 | $0.222 | $0.184 | $0.145 | $0.135 | $0.129 | $0.124 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 800mOhm @ 3.1A, 10V |
電力消費(最大) | 3.1W (Ta), 50W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 360 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 16 nC @ 5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.2A (Tc) |
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