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Vishay Siliconix

SIAA02DJ-T1-GE3

工場モデル SIAA02DJ-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
パッケージ PowerPAK® SC-70-6
株式 562324 pcs
データシート SiAA02DJ
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.213 $0.182 $0.136 $0.107 $0.083
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。562324のVishay Siliconix SIAA02DJ-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1.6V @ 250µA
Vgs(最大) +12V, -8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6
シリーズ TrenchFET® Gen IV
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 4.7mOhm @ 8A, 10V
電力消費(最大) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1250 pF @ 10 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 33 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 22A (Ta), 52A (Tc)
基本製品番号 SIAA02

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SIAA02DJ-T1-GE3 データテーブルPDF

データシート