SIA810DJ-T1-GE3
| 工場モデル | SIA810DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6 |
| パッケージ | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| 株式 | 6769 pcs |
| データシート | SIA810DJ |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6769のVishay Siliconix SIA810DJ-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| シリーズ | LITTLE FOOT® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 53mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11.5 nC @ 8 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A (Tc) |
| 基本製品番号 | SIA810 |
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