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Vishay Siliconix

SIA910EDJ-T1-GE3

工場モデル SIA910EDJ-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
パッケージ PowerPAK® SC-70-6 Dual
株式 416978 pcs
データシート Wafer Site 12/Sep/2018SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015SIA910EDJ
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.234 $0.205 $0.157 $0.124 $0.099
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。416978のVishay Siliconix SIA910EDJ-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6 Dual
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
電力 - 最大 7.8W
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6 Dual
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 455pF @ 6V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 16nC @ 8V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 12V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4.5A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 SIA910

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データシート

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