SI7892BDP-T1-GE3
工場モデル | SI7892BDP-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8 |
パッケージ | PowerPAK® SO-8 |
株式 | 90963 pcs |
データシート | New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
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$0.727 | $0.654 | $0.525 | $0.431 | $0.358 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.2mOhm @ 25A, 10V |
電力消費(最大) | 1.8W (Ta) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3775 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 40 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 15A (Ta) |
基本製品番号 | SI7892 |
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