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Vishay Siliconix

SI5902DC-T1-E3

工場モデル SI5902DC-T1-E3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
パッケージ 1206-8 ChipFET™
株式 5665 pcs
データシート Material ComplianceSI5902DC
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5665のVishay Siliconix SI5902DC-T1-E3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1V @ 250µA (Min)
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 85mOhm @ 2.9A, 10V
電力 - 最大 1.1W
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 7.5nC @ 10V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.9A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 SI5902

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SI5902DC-T1-E3 データテーブルPDF

データシート