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Vishay Siliconix

SI5857DU-T1-E3

工場モデル SI5857DU-T1-E3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
パッケージ PowerPAK® ChipFET™ Single
株式 5875 pcs
データシート SI5857DU
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5875のVishay Siliconix SI5857DU-T1-E3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® ChipFET™ Single
シリーズ LITTLE FOOT®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 58mOhm @ 3.6A, 4.5V
電力消費（最大） 2.3W (Ta), 10.4W (Tc)
パッケージ/ケース PowerPAK® ChipFET™ Single
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 480 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 17 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 Schottky Diode (Isolated)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6A (Tc)
基本製品番号 SI5857

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データシート

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