SI5855DC-T1-E3
| 工場モデル | SI5855DC-T1-E3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 |
| パッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
| 株式 | 6146 pcs |
| データシート | SIL-0632014 16/Apr/2014Material Compliance |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6146のVishay Siliconix SI5855DC-T1-E3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 110mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 1.1W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.7 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.7A (Ta) |
| 基本製品番号 | SI5855 |
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