SI5475DC-T1-GE3
| 工場モデル | SI5475DC-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 |
| パッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
| 株式 | 6051 pcs |
| データシート | Material ComplianceSI5475DC |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 450mV @ 1mA (Min) |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 31mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 1.3W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.5A (Ta) |
| 基本製品番号 | SI5475 |
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