SI5509DC-T1-E3
| 工場モデル | SI5509DC-T1-E3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 |
| パッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
| 株式 | 3797 pcs |
| データシート | PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013Material Compliance |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 52mOhm @ 5A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 4.5W |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 455pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.6nC @ 5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.1A, 4.8A |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel |
| 基本製品番号 | SI5509 |
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