SI4420BDY-T1-GE3
工場モデル | SI4420BDY-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO |
パッケージ | 8-SOIC |
株式 | 268116 pcs |
データシート | New Solder Plating Site 18/Apr/2023 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.341 | $0.299 | $0.229 | $0.181 | $0.145 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。268116のVishay Siliconix SI4420BDY-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 8.5mOhm @ 13.5A, 10V |
電力消費(最大) | 1.4W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 50 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9.5A (Ta) |
基本製品番号 | SI4420 |
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