SI4420DY,518
| 工場モデル | SI4420DY,518 |
|---|---|
| メーカー | NXP Semiconductors / Freescale |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V SOT96-1 |
| パッケージ | 8-SO |
| 株式 | 6872 pcs |
| データシート | SI4420DY |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| シリーズ | TrenchMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9 mOhm @ 12.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 他の名前 | 934056381518 SI4420DY /T3 SI4420DY /T3-ND |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 2 (1 Year) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 120nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 詳細な説明 | N-Channel 30V 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
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