SI4420DYTRPBF
| 工場モデル | SI4420DYTRPBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO |
| パッケージ | 8-SO |
| 株式 | 5304 pcs |
| データシート | Part Number GuideMult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Dev Site Add 28/Aug/2020Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018Package Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev EOL 9/Apr/2020 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9mOhm @ 12.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2240 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12.5A (Ta) |
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