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SI3900DV-T1-GE3 Image
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SI3900DV-T1-GE3

工場モデル SI3900DV-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
パッケージ 6-TSOP
株式 259732 pcs
データシート New Solder Plating Site 18/Apr/2023
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.356 $0.318 $0.248 $0.205 $0.162
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。259732のVishay Siliconix SI3900DV-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.5V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 6-TSOP
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
電力 - 最大 830mW
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 4nC @ 4.5V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 SI3900

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データシート

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