Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-アレイ > SI3590DV-T1-E3
SI3590DV-T1-E3 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

SI3590DV-T1-E3

工場モデル SI3590DV-T1-E3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
パッケージ 6-TSOP
株式 267714 pcs
データシート New Solder Plating Site 18/Apr/2023SI3590DV
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.307 $0.271 $0.208 $0.164 $0.132
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。267714のVishay Siliconix SI3590DV-T1-E3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.5V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 6-TSOP
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 77mOhm @ 3A, 4.5V
電力 - 最大 830mW
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 4.5nC @ 4.5V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.5A, 1.7A
コンフィギュレーション N and P-Channel
基本製品番号 SI3590

おすすめ商品

SI3590DV-T1-E3 データテーブルPDF

データシート

SI3590DV-T1-E3に関連した語彙

SI3590DV-T1-E3関連コンポーネント