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SI3812DV-T1-E3 Image
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SI3812DV-T1-E3

工場モデル SI3812DV-T1-E3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
パッケージ 6-TSOP
株式 5432 pcs
データシート New Solder Plating Site 18/Apr/2023
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5432のVishay Siliconix SI3812DV-T1-E3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 600mV @ 250µA (Min)
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 6-TSOP
シリーズ LITTLE FOOT®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
電力消費（最大） 830mW (Ta)
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 4 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 Schottky Diode (Isolated)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2A (Ta)
基本製品番号 SI3812

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データシート

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