SI1965DH-T1-E3
| 工場モデル | SI1965DH-T1-E3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 |
| パッケージ | SC-70-6 |
| 株式 | 477921 pcs |
| データシート | Material ComplianceSI1965DH |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.195 | $0.166 | $0.124 | $0.097 | $0.075 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-6 |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 390mOhm @ 1A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 1.25W |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 120pF @ 6V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.2nC @ 8V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.3A |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | SI1965 |
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